掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化

来源：学生作业帮编辑：搜搜做题作业网作业帮分类：物理作业时间：2024/04/29 23:38:41

在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移率反而缓慢上升,到一定温度才下降,即温度低时杂质散射其主要作用,温度高时晶格振动散射为主.
参考半导体物理学刘恩科编写

掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析室温下,硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率?若存在,试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化）杂质半导体的电阻率随温度如何变化? 杂质半导体的电阻率随温度如何变化掺杂半导体导电性随温度变化如何改变费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何? ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（）,而少子的浓度则受（）的影响很大什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂?