IGBG和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处
来源:学生作业帮 编辑:搜搜做题作业网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/09 01:17:10
IGBG和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处
应该是:IGBT吧!
IGBG内部相当与一个MOS管驱动一个大功率的晶体管,所以其电是一个大电流高压的大功率器件,其功率可以做的很大,但其频率不参很高,几百K就已经相当历害了!
MOSFET是俗称的场效应管,其耐压和电流不如IGBT的高,但其频率和开关速度可以做的比IGBT的高的多!
IGBG内部相当与一个MOS管驱动一个大功率的晶体管,所以其电是一个大电流高压的大功率器件,其功率可以做的很大,但其频率不参很高,几百K就已经相当历害了!
MOSFET是俗称的场效应管,其耐压和电流不如IGBT的高,但其频率和开关速度可以做的比IGBT的高的多!
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