为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?

来源：学生作业帮编辑：搜搜做题作业网作业帮分类：综合作业时间：2024/05/10 02:45:37

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内.由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压（5V以下）,结层中的电场却很强（可达左右）.在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子.它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿.显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离.
采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V.而齐纳击穿电压低于5V.在5～8V之间两种击穿可能同时发生

为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄? 模电书中说在掺杂浓度不对称的PN结中耗尽区在重掺杂一边延伸较小而在轻掺杂一边延伸较大这是为什么啊自学模电不易如何测量PN结击穿电压 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? 氨水中铵根浓度随温度升高而降低 “密度大,击穿电压升高；密度小,击穿电压会降低,密度太小,也降低”“温度增大,击穿电压增大”对吗稳压二极管温度系数 PN结击穿电压模电关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题哪位高手知道“合适波长的光照对PN反向击穿电压大小是否有影响或者说降低反向击穿电压? pn结会被电压还是电流击穿?