C(A)是PN*N的子空间-搜答案-搜搜做题作业网

（1）线性变换T(a+b)=T(a)+T(b)C(a+b)-(a+b)C=Ca-aC+Cb-bC,且T(ka)=kT(a)C(ka)-(ka)C=kCa-kaC.所以,T是R的线性变换.（2）T(AB

我刚刚当面点拨了你,你可以关闭问题了再问：我们在一起吧再答：你给我滚粗

对A的属于特征值λ的特征子空间Vλ中的任一向量x有Ax=λx所以A(Bx)=BAx=λBx所以Bx属于Vλ所以A的特征子空间Vλ是B的不变子空间.

（1）设点p坐标（x,y）,则向量pm+（4-x,-y）,向量pn+（1-x,-y),向量pm绝对值等于根号下（4-x）²+y²,由向量pm的绝对值等于2向量pn的绝对值得根号下（

不是.折射只会发生在不同介质的界面上,且影响的是方向.

证1,链接NF,过A向BD做垂线,垂足为P,设正方体楞长为2a.因为MN//＝FE,所以NF为两平行线间距离,NF＝√2DN＝√2a,因为AP＝√2a,所以NFAP构成平行四边形,所以NA//FP又因

你的问题分类错了.

能构成,V是他的子空间,验证加法和数乘运算的封闭性就可以了

另一个基地c再问：……求解释啊……不好意思哈～苦逼学生党没悬赏的钱了……麻烦解释一下咯～就当为祖国教育做了贡献～再答：这里c只是一个基地，不能代表全部。a，b，c是一个基底,则：ka+xb+yc=0。

向量{a,b,c}是空间的一个基底,则a,b,c不共面.向量m=a+b,n=a-b,在a,b确定的平面内,从而m,n,c不共面,即c与m,n可以构成空间的一个基底.

选择题：1B2D3D4C5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值（Ic=Ib×β）6C7B8D9B10C填空题1（1）差模（2）共模输入（3）差模输入（4）共模输入2（5）放大（6）截止（7）饱和（补充

给你一个思路吧设dimW=rW=L(l1,...,lr),l1,...,lr线性无关则存在n-r维的相向组p1...,p(n-r),使得L(p1,...,p(n-r))是W的余子空间令q=p(n-r)

设B,C是W中任意两个元素,则(kB)A=k(BA)=k(AB)=A(kB),即kB∈W.(B+C)A=BA+CA=AB+AC=A(B+C),即B+C∈W,因此W对于加法和数乘运算封闭,W是一个子空间

设V是数域P上的n维线性空间,W是V的一个s维子空间,那么,取定W的一个基：E1,E2,...,Es,将W的这个基扩充为V的一个基,记为,E1,E2,...,Es,Es+1,...,En现在我们构造一

m*n个元素中只有一个,明显是1,其余的是0,这样的矩阵有m*n个1,这m*n个矩阵构成一组基2,任意m*n阶矩阵可由这m*n个矩阵线性表示（普通意义上的矩阵加法和数乘）所以求证所有m×n阶矩阵的集合

大一学的,忘了.

+P-N-----------＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带负电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结．所

解题中用到了一个重要结论：你有问题也可以在这里向我提问：

你的理解有偏颇.再问：我也觉得这种理解有问题，那么，请不吝赐教。再答：p性半导体和金属片制作在一起,可以形成pn结，一般肖特基二极管就是这个原理。那个是内建场对少子的抽取，和扩散电流相抵消。扩散是要有