搜搜做题作业网有关“三极管放大时,内部载流子运动过程”的问题
来源：学生作业帮 编辑：搜搜做题作业网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/04/29 11:53:48
有关“三极管放大时,内部载流子运动过程”的问题
唯独就这一个问题搞不明白：
共发射极电路NPN管,ib变大时,实质上是给基区注入空穴,如果是这样的话,注入的空穴将会中和更多发射极过来的电子,理论上ic便会变得更小才对啊,为什么ic还会以相应倍数β放大呢?
图中所画的是三极管内部电流流向【NPN型管,箭头指向代表电流方向】,现在基极电流增大到2,说明在基区有更多的电子被基区空穴所复合,按理来说,集电极电流应该减少啊【因为有更多的电子在基区被复合,流到集电区的电子就少了】,但是现实情况却是集电极电流被放大到了6.显而易见,我在增大基极电流的同时,发射极电流也在增大,并且基极电流增大一倍,发射极电流也增大一倍,这是为什么?
换句话说,我增大基极电流一倍,则从发射区到达基区的电子将会被多出一倍的空穴所复合,但是,又是什么原因使得此时此刻发射极发射出了比原来多出一倍的电子,比如右图比原来【左图】多出了1个单位的电子被基区空穴复合,但同时,发射区却多射出了4个单位的电子.我人为的增加了1个单位的基极电流,而发射极却多射出了4个单位的电子,增加了4单位的电流,why?
不要用公式ie= ib+ic=（1+β）ib说明,请从三极管内部载流子的微观运动情况加以分析说明,谢谢.
1 发射区向基区发射电子
由于发射结处于正向偏置,多说载流子的扩散运动加强,发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射）,同样基区的多数载流子（空穴）也向发射区扩散,但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度,两者比较可忽略基区空穴向发射区的扩散.由于两个电源Eb和Ec的负极接在发射极,所以发射区向基区发射区向基区的电子都可以从电源得到补充,这样就形成了发射极电流Ie.
2 电子在基区的扩散与复合
从发射区发射到基区的电子到达基区后,由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度,所以这些电子会向集电结附近继续扩散.在扩散的过程中,有小部分电子会与基区的空穴复合,由于电源Eb的正极与基极相连,这些复合掉的空穴均可由Eb补充,因而形成了基极电流Ib.因基区做的很薄,电子在扩散过程中通过基区的时间很短,加上基区的空穴浓度很低,所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中,与基区空穴复合的机会很少,因而基电极的电流很小,大部分电子都能通过基区而到达集电结附近,所以集电极电流很大
仅供参考
由于发射结处于正向偏置,多说载流子的扩散运动加强,发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射）,同样基区的多数载流子（空穴）也向发射区扩散,但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度,两者比较可忽略基区空穴向发射区的扩散.由于两个电源Eb和Ec的负极接在发射极,所以发射区向基区发射区向基区的电子都可以从电源得到补充,这样就形成了发射极电流Ie.
2 电子在基区的扩散与复合
从发射区发射到基区的电子到达基区后,由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度,所以这些电子会向集电结附近继续扩散.在扩散的过程中,有小部分电子会与基区的空穴复合,由于电源Eb的正极与基极相连,这些复合掉的空穴均可由Eb补充,因而形成了基极电流Ib.因基区做的很薄,电子在扩散过程中通过基区的时间很短,加上基区的空穴浓度很低,所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中,与基区空穴复合的机会很少,因而基电极的电流很小,大部分电子都能通过基区而到达集电结附近,所以集电极电流很大
仅供参考