“N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,在S与D极之间的衬底表面上就已经形成了导电沟道” 请问它是怎么形成的

来源：学生作业帮编辑：搜搜做题作业网作业帮分类：化学作业时间：2024/04/30 09:35:13

N沟道MOS管也就是说S、D为N+区,其沟道为N型,即为电子.
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型.
作为N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,S、D之间的衬底表面形成了导电沟道,其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子,一般来说是磷离子,砷离子常被用来作为S、D区域的注入.
如果是N沟道增强型MOS管被做成了N沟道耗尽型MOS管,则可能的原因比较多,需要你提供进一步的信息.

N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) 结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管 P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通? 求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率 p沟道mos管如图所示,求在Vd在小于5v的情况下能正常工作的P沟道mos管的型号 . 大家推荐一个导通电阻很小的P沟道mos管撒,N沟道也讲几个. 这是一幅结型N沟道的MOS管作为可变电阻电路图,请问ui增大时,uo是怎样变小的? N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?