搜搜做题作业网IGBT工作温度与栅极放电电阻的关系
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/27 15:19:57
那要看你的电源电压是怎么变化的.如果在变小,则有可能对电阻放电.
场效管的特点就是输入阻抗高,属于电压控制器件,所以,其栅极不必串电阻限流.有时候即使串了一个电阻,其目的也不是为了限流,而是对输入信号进行滤波或得到所需的频率特性.在它的栅极与源极之间输入15V时,由
这些都是6N3的功放电路图.你自己查一下吧!应该有你要的答案了.
热敏电阻.参数一般是10K5%B=3435.
那个是保护用的,一般都是自带的再问：是正向保护，还是续流，请问能详细点吗？再答：保護管子不被反沖電壓擊穿
因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用.但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET
驱动电压：最小3.5V,一般5.5V,最大7.5V.驱动电流：±100nA
得分开理解1放电电阻：这是在电路应用时的名字,电路中起到对电池或电容放电功能的电阻叫放电电阻2水泥电阻：如楼上老兄所答,此种电阻的封装主要由水泥构成在电路里还有上拉电阻、下拉电阻、限流电阻、震荡电阻等
由于MOSFET和IGBT的栅极与漏极和源极之间都存在寄生电容.器件的开通不是一下完成的,而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充电,充电到阈值电压,器件才开通.同样,器件关断的时候也不是一下完成的,需要使栅
缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动
mosfet当中的高频振荡原因是,由mosfet的结电容和栅极回路中的寄生电感共同作用产生的,也就是说mosfet在开通关断时,mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作,而充电、放电电流都要流过m
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P
加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------
唉!今天的年轻人啊!唉!今天的大学生们啊!真叫老叔我长见识了!不服?看下以下那段文字吧!场效应管栅极变化对漏极与源极电阻线性变化影响场效应管栅极变化?什么在变化?怎么个变化法?再问：首先我才大一，比赛
对于接在元件侧的RC回路：R取10～40Ω,功率取1～2W,C取0.05～0.5μF.其电容值及耐压等级可由下式决定：C＝2.5×0.01×IU耐压＝1.3×U
因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管
不知道你说的是驱动电阻RG还是G极对E极的释放电荷的电阻,所以分两部分说.首先,IGBT的输入阻抗很高,即使是空间杂散电场也会导致IGBT导通,何况还有从C极传导过来的微弱漏电流,所以一定要加上G极对
PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.
满足要求的前提下,看看温度情况.哪个发热量低哪个好.