氮掺杂氧化锌为什么是p型半导体

PN结的阴阳离子是分开的

杂质含量对半导体的性质有非常巨大的影响：本征半导体的电阻率较大（约10-5≤ρ≤107）,但是只要掺入百万分之一的硼,硅的电阻率就从2.14*10~3欧m减小到0.004欧m左右.杂质有很多种,大部分

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体.P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

N型,P型希望采纳

问题一首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.所以正电荷浓度为：ND+P带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电

都不是.掺杂之后才能区分N型或P型半导体.在纯硅基础上,掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体.掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体

单晶硅（四价）时,没个硅原子和其周围的硅原子组成8电子稳定结构.当三、五族元素掺入到单晶硅后,不管是替位（掺杂原子代替某个硅原子）还是间隙（较小的杂质原子可掺入到硅原子间隙之中）,他们的特点都是离8电

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

晶体管中加入了微量元素,会破坏原晶体内的电位平衡,在晶体内部产生空穴和电子的对流,但是记住,这是在半导体内部产生这种对流,进而产生内电场,生成电位差.但对于整个的晶体来说,中和一个电子必占用一个空穴,

氧化物的水合物其组成可用R——O——H通式表示,R称为中心离子.如果离解时再R——O键处断裂即碱式电离,呈碱性.如果在O——H键处断裂即酸式电离,呈酸性.R——O——H离解方式与阳离子的极化作用有关C

你好.PN结形成的空间电荷区是在扩散运动过程中形成,由于两边空穴和电子复合,形成中间PN结没有了载流子,只剩下PN自身的固定正负离子,也就形成了空间电荷区,内电场.内电场在扩散中越来越大,大到一定程度

假设半导体是硅N型半导体中掺杂的是Ⅵ（5）族元素比如P磷当磷占据一个硅原子的位置时,磷元素外围的5个电子4个形成共价键,还有一个形成自由电子所以N型半导体导电的是电子相反,P型中掺杂3族元素如B硼你可

什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的电子即容易释放出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质.但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧（不会取代二族的Zn）,这就缺少了一

先更正一下,不是自由电子,而是载流子,半导体的特性就在于此,电子/空穴是受控制的,不是自由移动的.对本征激发当然有影响了,怎么会没有影响呢,你是从那看到的!本征激发严格上来讲是在本征半导体中发生的,但

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）

p型半导体中多子为空穴,主要靠空穴导电；n型半导体中的多子为电子,主要靠电子导电；空穴的迁移率比电子的小,所以p型半导体的电导率比n型的小,即P型半导体的电阻率比N型大.

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入