搜搜做题作业网晶体管特性图示仪
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/06/26 04:12:47
Rbe也应该为已知.(1)us=ib*Rbe+(β+1)ib*RFu2=βib*（RL//Rc）Au=u2/us=β(RL//Rc)/(Rbe+(β+1)*RF)特别地：当β>>1、Rbe1、Rbe
亲爱的楼主：温度变化的规律与晶体管正向导通电压一样,所以输入特性曲线随温度升高向左移.祝您步步高升,期望你的采纳,谢谢
因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.
当Rb2短路时,三极管处于饱和状态,其发射极输出Ue=12V-0.7V=11.3V,集电极输出为Uc=Ue+0.3V=11.6V,相当于一个输入电压为12V但输出电流被限制在2μA以内的的射极跟随器.
a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R
1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7
a、管子坏了,基极b与发射极e短路了b、管子坏了,集电极c开路了c、管子没有坏,因为基极b与发射极e之间的电压达到一定的饱和值了,促使集电极c与发射极e导通了.
这个是迟滞比较器,或者叫 施密特触发器.遇到这样的题目,首选考虑的是计算出门限电压.计算出门限电压就完事儿了.步骤如下:ui*(R2/(R1+R2))+uo(R1/(R1+R2))=3;uo
是的,可以构成可控硅的触发电路
（A）限制基极电流
22.6uA1.8mA3V-1671.2千欧5千欧-83.5
晶体三极管输入特性曲线在工程上计算直流阻抗意义不大,即不到导通点电流很小过了该点上升非常之快,交流阻抗26/ie(mv、ma)×β再问：那它的规律是什么？再答：我全说了啊不知您指的规律是什么？再加上一
1.大于1V是经验值.可以是0.9V,0.8V,但是这不符合人的习惯思维.至于本质上的解析你就要学学半导体器件了,模电书上是这样解析：实质上对于确定的Ube,当Uce增大到一定值以后,集电结的电场已足
这个很容易理解,为了从本质揭示道理,从基本原理说起,首先楼主知道两个常识：1,三极管导通后,有一放大效应,集电极电流Ic=β*Ib,这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子,也就是自由电子,在适当的外界
静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊
乙互补对称功率放大电路的交越失真由于到输入晶体管存在__阻挡（或死的）_电压引起的特性.
X轴为电压,Y轴为集电极电流曲线为自下而上的不同基极电流下的放大特性最下0微安按幅度倍乘向上递高.曲线上某一点对应的IC[ma]/Ib[ua]即该管的放大倍数.图示仪不看功率.再问：你好，假如我要算图
当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,