无限大均匀带电平面电荷面密度为b则距离平面d处一点的电场强度大小为-搜答案-搜搜做题作业网

根据互补原理,模型等效为半径为R,电荷密度为k的圆贴片,因此在轴线上离孔r处的场强,首先积分算出圆贴片所带电荷,然后利用库伦定律计算半径为r的场强.再问：不用分

无限大的均匀带电平板A周围的电场强度是E=σ/ε（运用高斯定理可得）.而B板和A板将在静电引力作用下产生静电感应,即远离A板的那面电荷为零,与A板对应的那面和A板上一样,但方向相反!想一下电容器就能明

取一圆柱形高斯面,其底面与该平面平行大小为S.根据高斯定理（φ=q/ε)和对称性(上下两个底面）,2ES=pS/ε,所以E=p/2ε再问：对称性是个什么？还有就是不懂那个2ES再答：根据对称性，平面两

用补偿法,中间打洞相当于完整的平面和洞的位置有一带相反电荷的圆盘的叠加,离无限大平面r处的场强为：t/2e0,均匀带电圆盘轴线r处场强为：t*[1-r/(a^2+r^2)^1/2]/2e0,合场强为两

每一个“无限大”均匀带电平面,在空间产生的电场强度为σ/(2ε0),三个平面把空间分成四部分,根据场强叠加原理,四部分空间的场强从左到右分别是：3σ/(2ε0),方向向左；σ/(2ε0),方向向左；σ

怎么不能上传图片?

电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E

那个希腊字母我用$；来代替面有两边,每边电荷为a*S/2,高斯定理E*S=(a*S/2)/$所以E=a/2$

取高斯面S,ES＝4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.

我能不能把电荷面密度用σ来表示,a看起来不太舒服.设电荷面密度为σ的为板A,电荷面密度为2σ的为板B.设板A在两板间产生的场强大小为E1,根据其对称性,其在两板外产生的场强亦为E1,方向相反.对板A取

用高斯定理∮EdS=q/ε,可以设计一个这样的则得2ES=Sσ/εE=σ/2ε,这是平面的场强公式,然后空间的就只需要叠加一下就行了,加加减减什么的再问：能给下具体步骤吗再答：我去这还不具体啊。平行板

由对称可知,电场线是垂直于带电平面的,且是均匀变化的,用高斯定理求,具体怎么求,我也忘记了!

直接用高斯定理算得

1、首先,x>0时,对E积分所得的电势是负的.2、dl的方向是有l的方向决定的,因为它是l向量的微量.3、当x向量为x正方向时,dx就为正的,x向量为负方向时,dx就为负的.所以,跟x有关.还因为x有

运用高斯定理的话,十分简单..将左式中的dS积分后移到右边,E=σ/2ε0（2ε0就是2）.但问题是你懂微积分不?

本结论可运用高斯定理解.高斯定理：通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量的4π(圆周率)K倍.即：φ＝4πkQ其中ES=φ（E为场强,S为正对面积）取无限大平板上一小面积s则有：E=4πk

对称性.等距离处上下两个表面对通量有贡献,2ES包含的电荷量σS因此2ES=σS/ε匀强电场,与距离无关.

如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导

F=Eq＝σ/（2*episilon）*σ*S,注意要用单板场强再问：其实我知道答案是这个，就是为什么用单板场强啊？再答：这个太简单了，这块板为什么会受力，是因为它放入了对方的场中，自己的场对自己是没

两板之间用大的减小的,因为两板对这里场强方向相反.两板的左边和右边都是相加两板各自对其场强相加,原因是场强方向相同.无限大带点平板场强与距离无关.各处均为σ除以2e.{我晕,那个k=1/（4π*e.)