已知晶体管的饱和压降Uces=0.3V

静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通压降而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

a、饱和,发射结、集电结均正偏,饱和,b、截止,发射结、集电结均反偏,截止,c、损坏,发射结电压＞0.7V,损坏d、放大.发射结正偏、集电结反偏,放大.若有帮助,请釆纳,谢谢!

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

最大功率为T1或T2饱和时的功率,Pom=（Vcc-Uces）*（Vcc-Uces）/Rl效率为：Vces*I/Vcc*I*100%=Vces/Vcc*100%晶体管的最大功耗PTmax=Uces*I

6-0.3=5.7选B再问：不过为啥答案是2V呢？再答：题目缺个条件----电源电压，所以按通常情况（静态工作点为1/2电源电压）估算来选B。电源电压低于12V则A、B、C都不符合要求，只能选D。再问

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能越好.

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

电容电压是10V,输出功率8W再问：怎么算的再答：OTL电路输出电容的电压就是电源电压的一半，然后功率P=[(Vcc-2Uces)/2]∧2/RL

2SD1118  80V10A50WHFE=300vce(sat)o.5v(在2A测试时候) 还有2SC45542SC4064 2SA1567

Ic=(15-0.3)/3000=0.0049(A)Ib=0.0049/40=0.0001225(A)Irb=(9+0.7)/20000=0.000485(A)Irx=0.0001225+0.0004

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降是0.7V

理论不知怎么算,实际使用中最少是0.3V.