已知晶体管的&=80,Rbe=1000欧

静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号

嘛...详细过程请见下图吧

输出电阻计算有加压求流法及负载对比法等.这里使用的是加压求流法放大器输入信号为零时,从输出端看进去,看到的就是输出电阻.加上一个虚拟电压,计算所产生的的电流,电压电流比就使输出电阻,这就是加压求流法,

（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99

些图为分压式偏置放大电路1、求静态工作点QUB=[RB2/（RB1+RB2）]*UCCIC=IE=（UB-0.7)/REIB=IC/βUCE=UCC-IC(RC+RE)2、rbc=300+(1+β)*

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

1.8//22//0.7=0.49再问：还有其它答案吗？那请问1//33//10=多少？谢谢！再答：1//33//10指的是1K，33K和10K电阻的并联，总阻值是1/（1/1+1/33+1/10）=

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

22.6uA1.8mA3V-1671.2千欧5千欧-83.5

阻抗反映法.阻抗反映法阻抗反映法阻抗反映法阻抗反映法（一种分析电路的有用观点）：在下图中,R'i是bi支路到地的等效电阻.bi支路电阻ber下面的接地电阻FR流过的电流比bi大(β+1)倍.我

(1)三极管的输入阻抗Zb=rbe+(β+1)Re=2.2+(80+1)*3=245kΩ放大电路的输入阻抗Ri=Zb//R1//R2=19.1kΩ(2)R02=[(R1//R2+rbe)/(1+β)]

解答过程如下： 点击图片可以查看清晰大图

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

Ib=Vcc/Rb=12/565=0.02123mAIc=β*Ib=2.123mAVce=Vcc-Ic*Rc=12-3*2.123=5.631VRi=Rb//rbe=rbe=1KΩRo=Rc=3KΩA

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k

电子电路一般都是估算,计算精度要求不高.第3问题,就是三个电阻并联,Rb1、Rb2被认为太大,不用参与计算,忽略了所以ri=rbe

这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差