三极管当VBE大时,为什么Ib=Ic-搜答案-搜搜做题作业网

对于npn晶体管,发射极电流包括有注入到基区的少数载流子——电子的扩散电流,以及从基区注入到发射区的空穴的扩散电流（这是基极电流的一部分）.当发射结电压增大、使基极电流增大的同时,从发射区注入到基区的

你说反了.三极管是用基极电流控制集电极电流,也就是如果当三极管处于放大区：当基极电流Ib有微小变化时,则集电极电流Ic会有比较明显的变化.用公式表示就是Ic=BIb（B表示贝塔,懒得打希腊字母了）,这

楼上的答非所问,我明白你要问什么,其实三极管的两个PN结在加正向电压的时候都是0.7V,也就是说你说的VBC也是0.7V.但是实际的应用中我们一般是人为的让VBE=0.7V,VBC不让他等于0.7V.

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

说的很对.

我网上给你粘贴一段,你仔细读读就能了解晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,（其中,N表示在高纯度

分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了

是数值减小还是比值减小?我好像记得在共e电路中,b极回路和c极回路是独立的,Vce(集电极对地电压)不会改变（减小）Ib（基极电流）.Tsaokuohua

三极管有两种结构.PNP和NPN,但不管是那种结构都是PN结导通.此点在判别管子极性和测试管子好坏时特别有用.用NPN为例,你用两个二极管分别从b正向连接c和e端,就好理解了.PNP则相反.再问：能加

饱和区与放大区临界点~

如果是硅材料做的,那么,在导通的情况下,可以设定为0.7v若是锗材料,可以近似为0.3v做题目时,一般不说明的情况下,可以用0.7v做,因为反正很小的量,不会有太大误差因为Vbe最大只能是导通时的0.

1：稳压二极管按材料分为硅管锗管.(对)2：某晶体管体三极管的IB=10uA时,Ic=0.44mA；当IB=20uA时,Ic=0.29mA则它的电流放大系数β=45(错)3：变压器也能把电压升高,变压

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

那要看是什么电路,一般的话靠提高发射极电流或者是增大Rc\减小Re

三极管的放大作用指的是：输出的信号电流Ie比输入的信号电流Ib大.再答：对三极管来说欧姆定律不成立。再问：可是书上的电路分析都是用欧姆定律的再问：就像这个再问：再答：Ib就象开关那样，它的变化会引起I

ib增大的原因是ube上升,即发射结正偏电压升高,必然使ie增大（比ib增大的量大得多）,所以

即在Uce恒定不变时,Ib是Ube的函数；Ib恒定不变时,Ic是Uce的函数.工作在线性区时,有Ic=β*Ib,Uce=Vcc-Ic*Rc.最直观的解释是三极管的输入、输出特性曲线.

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

ie=ic+ib,是这么理解的,我们以NPN为例,电流流向是b-->e和c-->e两条通路,实际上b、c是没有直接连在一起的,所谓的放大β倍电流,只是说明两者存在的数量上关系,ic的能量来源是来自于电

原因主要有3个,一是环境温度低于测试穿透电流的规定温度,二是实际电压低于测试穿透电流的规定电压,三是此管质量上程.